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[期刊论文] 作者:李义壮,郭怀新,郁鑫鑫,孔月婵,陈堂胜, 来源:电子元件与材料 年份:2022
片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高精度刻蚀和控制是实现该热管理技术应用的关键工艺难点.因此,本文采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以氮化硅作为刻蚀掩膜,对纳......
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