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[期刊论文] 作者：杨杰,王茺,陶东平,杨宇,,
来源：功能材料 年份：2012
采用离子束溅射技术,在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点。系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响,以及斜切基片上Ge纳米...
[期刊论文] 作者：杨杰,王茺,陶东平,杨宇,,
来源：功能材料 年份：2012
采用离子束溅射技术在Si基底上自组织生长了一系列Ge量子点样品,研究了束流密度对Ge/Si量子点的尺寸分布和形貌演变的影响。原子力显微镜测试结果表明,随着束流密度的增加,量...
[期刊论文] 作者：杨杰,王茺,靳映霞,李亮,陶东平,杨宇,,
来源：物理学报 年份：2012
采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点,通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的尺寸和形貌差异,系统研究了掩埋Ge量子点产生...
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