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[学位论文] 作者：冯旭东,,
来源：电子科技大学 年份：2020
随着GaN技术的不断成熟,其应用领域也逐渐从100V以下低压、小功率系统拓展到400V以上的高压、大功率、高功率密度系统。高压GaN器件的物理特性优势使得其将成为取代传统超结MOSFET的高压电源转换系统解决方案。然而,传统高压Si功率器件驱动电路无法充分匹配高压......
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