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[学位论文] 作者：宋莉娜,
来源：北京交通大学 年份：2021
与其他GaN基单异质结材料相比,传统的单异质结材料AlxGa1-xN/GaN拥有相对较强的自发极化和压电极化,使得异质结界面存在高密度和高迁移率的二维电子气。因此,单异质结材料AlxGa1-xN/GaN可以广泛应用于高频、大功率半导体器件领域。为了进一步提高AlxGa1-xN/GaN ......
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