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[学位论文] 作者：张源涛,,
来源：吉林大学 年份：2005
ZnO 作为一种宽禁带半导体材料(3.3eV),其激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV 大很多,是一种合适的用于室温或更高温度下的紫外光发光材料,具有大的束缚能的激子更容易...
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