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[学位论文] 作者：朱仁江,
来源：重庆师范大学 年份：2006
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构,其空间群为P63mc。晶格常数a =0.325nm ,c = 0.521nm。ZnO薄膜具有良好的...
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