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[学位论文] 作者：杨旭昕,,
来源：吉林大学 年份：2010
氮化硼(BN)是一种应用极为广泛的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,BN膜通常是利用物理及化学气相沉积的方法获得的。沉积BN膜所用衬底材料一般为硅片,除了在传统的Si衬底上生长BN膜外,不同...
[学位论文] 作者：杨旭昕,,
来源：吉林大学 年份：2011
缺血性脑卒中的重要病理基础是动脉粥样硬化(AS),已知内皮细胞功能受损和机能障碍是动脉粥样硬化发病的关键环节,目前尚缺乏早期判断缺血性脑卒中患者血管内皮功能的细胞学标...
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