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[学位论文] 作者：柯伟,
来源：北京大学 年份：2006
本论文详细研究了抬高源漏(ElevatedSourceandDrain，简称ESD)超薄体(UltraThinBody,简称UTB)SOIMOSFET和凹陷源漏(RecessedSourceandDrain，简称RSD)UTBSOIMOSFET的源漏寄生电阻...
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