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[学位论文] 作者：王恩平,,
来源：大连理工大学 年份：2013
氮化镓(GaN)是Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料,晶体结构为六方纤锌矿结构,在室温下的禁带宽度为3.39eV,在光电子和微电子领域的应用前景广阔。由于GaN和InN、A1N合金的能带宽度是连...
[学位论文] 作者：王恩平,,
来源：云南大学 年份：2015
新平中底是一个典型的花腰傣村寨,生计模式的变迁对中底的传统民族生态文化产生了重大影响。中底花腰傣通过生计模式的转变,外部的不同文化和中底傣族传统民族生态文化相遇产...
[学位论文] 作者：王恩平,
来源：大连理工大学 年份：2013
氮化镓(GaN)是Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料，晶体结构为六方纤锌矿结构，在室温下的禁带宽度为3.39 eV，在光电子和微电子领域的应用前景广阔。由于GaN和InN、AlN合金的能带宽度是连续...
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