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[学位论文] 作者：程松华,,
来源：华中科技大学 年份：2006
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的具有六方晶系纤锌矿结构的化合物半导体,它的带隙宽度可高达3.37eV。ZnO材料无毒,原材料价格便宜,化学稳定性好,特别是高C轴取向的ZnO薄膜是非常优异的光...
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