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[学位论文] 作者：苗金水,,
来源：中国科学院研究生院（上海技术物理研究所） 年份：2014
本文系统的研究了InAs纳米线的光电探测特性。InAs纳米线因其独特的表面电荷积累层、高载流子迁移率、费米能级钉扎效应和易于形成欧姆接触等特性，被广泛应用于射频电子器件、...
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