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[学位论文] 作者：董作典,,
来源：西安电子科技大学 年份：2009
AlGaN/GaN HEMT器件的微波大功率特性自1993年以来已取得巨大的进步,但是仍然存在许多制约因素限制了其性能的提升和应用的发展。其中大功率工作时GaN缓冲层的漏电引起器件功...
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