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[会议论文] 作者：丁璐,葛惟锟,王晓欣,王启明,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对比生长在不同SiOx薄膜中之两种硅纳米晶(NC-Si)的近红外光荧光特性,并对其发光机制作出定性分析.SiOx薄膜是在电容耦合式超高真空PECVD系统中,以SiH4(浓度15﹪,Ar稀释)和N2O为反应气体,在RCA处理的(100)Si衬底上制备.实验用NC-Si样品D3和D4是两种SiOx薄膜(......
[会议论文] 作者：丁璐[1]葛惟锟[1]王晓欣[2]王启明[2],
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对比生长在不同SiOx薄膜中之两种硅纳米晶(NC-Si)的近红外光荧光特性,并对其发光机制作出定性分析.SiOx薄膜是在电容耦合式超高真空PECVD系统中,以SiH4(浓度15﹪,Ar稀释)和...
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