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[会议论文] 作者：张小宾,李晋闽,王占国,侯洵,王晓亮,肖红领,杨翠柏,冉军学,王翠梅,胡国新,李建平,刘宏新,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟组分为0.18。用电子束蒸发的方法在p型In0.18Ga0.82N上制作Ni(20nm)/Au(120nm)电极,并在空气气氛下采用不同的温度进行退火。用传输......
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