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[会议论文] 作者：魏萌,李建平,刘宏新,王翠梅,肖红领,王晓亮,李晋闽,王占国,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响，实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长A、B、C、D、E五个样品，其中高温AlN缓冲层的厚度依次是50、100、150、200、250nm，GaN外延层的厚度都是1μm。使用光学显微镜、AFM和......
[会议论文] 作者：魏萌[1]李建平[1]刘宏新[1]王翠梅[1]肖红领[2]王晓亮[2]李晋闽[2]王占国[3],
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响，实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长A、B、C、D、E五个样品，其中高温AlN缓冲层的...
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