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[会议论文] 作者：景微娜,郝秋艳,解新建,刘彩池,冯玉春,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在各种GaN生长技术中,MOCVD法是目前使用较多、外延质量较高的一种外延方法。本文研究了一种衬底处理技术对MOCVD外延生长GaN薄膜中应力的影响。本实验在外延生长前用磷酸对...
[会议论文] 作者：陈玉武,郝秋艳,赵建国,吴丹,王勇,刘彩池,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺寸很大，但位错密度较小；随着退火温度的......
[会议论文] 作者：景微娜[1]郝秋艳[2]解新建[2]刘彩池[2]冯玉春[3],
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在各种GaN生长技术中,MOCVD法是目前使用较多、外延质量较高的一种外延方法。本文研究了一种衬底处理技术对MOCVD外延生长GaN薄膜中应力的影响。本实验在外延生长前用磷酸对...
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