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[会议论文] 作者：郝秋艳,刘彩池,解新建,乔治,董莉菲,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
将铒离子注入到含有纳米硅晶的SiO2层中，发现纳米硅晶经1100℃退火处理可得到较强的光致发光光谱。掺铒纳米晶的光致发光随着退火温度的升高逐渐增强，认为较高的退火温度可......
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