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[会议论文] 作者：姜胜林,王筱珍,
来源：’94全国结构·功能陶瓷·金属/陶瓷封接学术会议 年份：1994
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[会议论文] 作者：姜胜林,王筱珍,
来源：第二届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：晁罡,李莹莹,姜胜林,
来源：中国管理现代化研究会,中国管理案例共享中心 年份：2014
本文回顾社会企业在欧美的起源与发展趋势，整理当前国内外学术界对社会企业的定义与内涵，探索社会企业在中国的发展趋势，结合商业企业向社会企业转型的典型案例，揭示社会企业在中国发展的主要原因。......
[会议论文] 作者：姜胜林,张海波,曾亦可,刘梅冬,
来源：2005年全国光电技术学术交流会暨第十七届全国红外科学技术交流会 年份：2005
本文分析了热释电非制冷红外焦平面阵列探测技术的优势,介绍了热释电非制冷红外探测器工作原理及热释电非制冷红外焦平面阵列对探测材料的要求,指出了混合式及单片式热释电非...
[会议论文] 作者：姜胜林,周东祥,汪小红,龚树萍,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
对主受表面态能级分布与电性能关系进行了研究,指出钡缺位,受主杂质及吸附氧产生不同深度的受主态能级,提出了获得高性能BaTiO半导瓷材料的合理能级分布结构,为材料设计及工...
[会议论文] 作者：曾亦可,姜胜林,邓传益,刘梅冬,
来源：2004年全国光电技术学术交流会 年份：2004
利用自制的PZT(55/45)烧结陶瓷靶材,在纯氧、高溅射气压条件下成功地原位沉积出无焦绿石相的PZT铁电薄膜.为了弥补靶材在烧结过程中Pb的挥发及溅射沉膜过程中Pb含量过低而导致膜成份偏离化学计量比,加入以Pb0标准计量,过量5.0％重量的Pb3O4.通过实验发现:当最佳靶......
[会议论文] 作者：姜胜林,周东祥,汪小红,龚树萍,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
对主受表面态能级分布与电性能关系进行了研究,指出钡缺位,受主杂质及吸附氧产生不同深度的受主态能级,提出了获得高性能BaTiO半导瓷材料的合理能级分布结构,为材料设计及工艺控制提供了理论指导.对材料NTCR效应研究结果指出,NTCR效应(T>Tc)与晶界的能级分布密......
[会议论文] 作者：易金桥;张雪;张光祖;曹亦可;姜胜林;,
来源：TFC`15全国薄膜技术学术研讨会 年份：2015
锆钛酸铅镧(PLZT)是一种典型的铁电材料,具有优良的自发极化特性和介电性能,被广泛应用于微电子学、微电子机械(MEMS)系统；PLZT也是一种新型的光电功能材料,在可见光和红...
[会议论文] 作者：翁俊梅,姜胜林,许毓春,黄国贤,
来源：中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第十八届学术年会 年份：2011
本文研究了BiSbO4掺杂对氧化锌压敏电阻的影响。通过将Bi2O3和Sb2O3在不同温度下煅烧。并在800℃烧结后合成了较纯的BiSbO4。通过物相和差热分析发现BiSbO4能够与ZnO在高...
[会议论文] 作者：陈实;刘梅冬;曾亦可;姜胜林;邓传益;孙德宝;,
来源：2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份：2003
结合薄膜热释电红外探测器灵敏元的制备,对硅单晶的各向异性腐蚀工艺及其化学反应机理进行了深入研究.实验结果表明,四甲基氢氧化铵水溶液(TMAH)是一种适宜的硅单晶各向异性...
[会议论文] 作者：姜胜林[1]曾亦可[1]刘少波[2]刘梅冬[1],
来源：第五届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2004
为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiOSi基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PB...
[会议论文] 作者：易金桥,熊雪,张岭,刘思思,张光祖,曾亦可,姜胜林,
来源：第十五届全国电介质、材料与应用学术会议 年份：2014
采用传统固相烧结法制备了(Pb0.97-xBaxLa0.02)(Zr0.6Sn0.32Ti0.08)O3 反铁电陶瓷,通过微结构、电滞回线和介电常数分析了氧化退火对材料电性能的影响.结果表明,在氧化退...
[会议论文] 作者：曾亦可;刘梅冬;姜胜林;黄焱球;刘少波;周东祥;,
来源：2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份：2003
本文介绍了一种采用Si基绝热结构和"填充-掏空"技术来制备非致冷红外探测器阵列的新方法.以此为目标,重点研究了ZnO纳米粉末的制备工艺以及如何在Si基片表面形成ZnO膜层网格...
[会议论文] 作者：胡勇,曾亦可,刘梅冬,姜胜林,邓传益,陈实,李元昕,
来源：2004年全国光电技术学术交流会 年份：2004
以Pb(OOCCH3)2·3H2O、Sc(OOCCH3)3·XH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,乙二醇甲醚为溶剂,用Sol-Gel方法在Pt/Ti/SO2/Si(100)基片上成功地制备出厚度迭1.5μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(220)主晶向生长的PST薄膜分别在10～20min、650～800℃范围内进行热处理......
[会议论文] 作者：阚皞;宋志龙;刘竞尧;张文楷;王阳;于号雄;刘欢;姜胜林;,
来源：第十四届全国敏感元件与传感器学术会议 年份：2016
过渡金属硫化物的气敏性能已经被广泛的研究,硫化铋是一种斜方晶系半导体禁带宽度为1.3eV.本文利用溶剂热法合成了Bi2S3纳米片,在印有银叉指电极的氧化铝陶瓷片上旋涂制备出...
[会议论文] 作者：刘梅冬,李元昕,陈实,李楚容,曾亦可,姜胜林,邓传益,刘少波,
来源：2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份：2003
叙述了铁电薄膜热释电非制冷红外探测器的探测原理,对铁电薄膜材料的要求.研究了BST铁电薄膜热释电红外探测器的制备工艺与测试方法.研制出8元、9元和10元铁电薄膜热释电非制...
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