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[会议论文] 作者：崔江维,余学峰,任迪远,卢健,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而，在应力施加的过程中，一些参数发生了恢复。经过分析，认为正电性的界面态主导了参数的变化，也正是界面......
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