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[会议论文] 作者：胡志华,李明,杨培智,邓书康,郝瑞亭,王书荣,姚朝晖,孙启利,晒旭霞,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
采用PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H(30nm) /Al (200nm)单结非晶硅太阳能电池中,结果发现轻微晶化的氢化纳米硅p 层的太阳能电......
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