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[会议论文] 作者：孔梅影,曾一平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文通过对分子束外延技术发展中一些重要问题的分析和讨论,结合我们自己的研究工作,综合评述了利用分子束外延技术制备半导体低维结构的特点、关键和发展....
[会议论文] 作者：李东临,曾一平,王军喜,王晓亮,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓...
[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰值的半高宽(FWHM)分别与Ha......
[会议论文] 作者：王晓峰,曾一平,孙国胜,王雷,赵万顺,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结构特征;利用二次离子质谱(SIMS)对3C-SiC样品的组份进行了深度分析.尤其是N和B两种杂质在SiC表面的浓度变化.并结合霍耳(Hall)测试......
[会议论文] 作者：王雷,孙国胜,高欣,赵万顺,张永兴,曾一平,李晋闽,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参......
[会议论文] 作者：高欣,孙国胜,李晋闽,赵万顺,王雷,张永兴,曾一平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2é=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.PL测试发现在2.8—3.1eV范围内......
[会议论文] 作者：张晓昕,岳维松,王小光,曾一平,王保强,朱占平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
在共振隧穿结构(RTS)的PL测试中,随着势垒厚度的减小,阱内发光变化不大,而阱外发光急剧减小,通过比较RTD结构PL谱中阱内外的积分发光强度,我们找到了可以让RTD单管在I-V曲线中出现负阻的势垒临界尺寸.在临界尺寸以下,载流子的输运中隧穿机制将成为主要的过程.......
[会议论文] 作者：王军喜,王晓亮,刘宏新,胡国新,李建平,李晋闽,曾一平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层.研究了GaN外延层中的应力和光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接......
[会议论文] 作者：张南红,王晓亮,王军喜,刘宏新,肖红领,曾一平,李晋闽,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为6.8×10A/W.......
[会议论文] 作者：曾宇昕,刘伟,杨富华,徐萍,谭平恒,章昊,边历峰,郑厚植,曾一平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测......
[会议论文] 作者：肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,李晋闽,吴荣汉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面形貌的影响,发现V/Ⅲ比和生......
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