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[会议论文] 作者：巩全成,宁瑾,孙国胜,高见头,王雷,李国花,曾一平,李晋闽,李思渊,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气......
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