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[会议论文] 作者：何金孝,段尭,崔军朋,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
本文首次在AlO衬底上引入ZnO-AlO固溶层,并在该衬底上用金属源化学气相外延法(MVPE)生长出了高质量的ZnO单晶厚膜(10微米)。介绍了一种在C面蓝宝石衬底上引入ZnO-Al203固溶层...
[会议论文] 作者：何金孝,段尭,崔军朋,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
本文首次在AlO衬底上引入ZnO-AlO固溶层,并在该衬底上用金属源化学气相外延法(MVPE)生长出了高质量的ZnO单晶厚膜(10微米)。介绍了一种在C面蓝宝石衬底上引入ZnO-Al203固溶层的方法。用双晶X射线衍射仪对样品进行了θ-2θ和rocking curve测量。与直接在C面蓝宝......
[会议论文] 作者：高海永,闫发旺,张扬,王军喜,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
利用干法刻蚀(感应耦合等离子刻蚀,ICP)对蓝宝石衬底进行了干法刻蚀,研究了特定图形蓝宝石衬底对生长GaN外延层晶体质量的影响。原子力显微镜观察表明无掩膜直接ICP刻蚀后的...
[会议论文] 作者：韩春林,高建峰,薛舫时,陈辰,张杨,曾一平,
来源：2007年全国微波毫米波会议 年份：2007
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同...
[会议论文] 作者：韩春林,张杨,曾一平,高建峰,薛舫时,陈辰,
来源：2007年全国微波毫米波会议 年份：2007
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料......
[会议论文] 作者：刘兴昉,孙国胜,赵永梅,王亮,王雷,赵万顺,李国花,曾一平,李晋闽,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在高温CVD工艺中广泛采用高纯石墨材料作为感应加热器件及以衬底托,为了防止石墨材料在高温作用下污染反应腔体,使用前一般要对石墨器材进行表面涂覆。SiC具有很强的化学惰性、高温稳定性以及高的热导率等优点,可以用于石墨器材的表面涂层。本文以CVD方法在石墨......
[会议论文] 作者：刘兴昉,李晋闽,孙国胜,赵永梅,宁瑾,蔡淑娴,王亮,王雷,赵万顺,曾一平,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出了一种用于MEMS的硅基碳化硅微通道(阵列)及其制备方法，它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相沉积方法制备碳化硅。首先在硅衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)以及它们的分布方式根据需要而定。此......
[会议论文] 作者：刘兴昉[1]孙国胜[1]赵永梅[1]王亮[2]王雷[2]赵万顺[2]李国花[3]曾一平[2]李晋闽[2],
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在高温CVD工艺中广泛采用高纯石墨材料作为感应加热器件及以衬底托,为了防止石墨材料在高温作用下污染反应腔体,使用前一般要对石墨器材进行表面涂覆。SiC具有很强的化学惰性...
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