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[会议论文] 作者：杨学林,陈志涛,祝文星,王存达,杨志坚,张国义,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文主要研究了MOCVD生长GaMnN单层结构和GaN/GaMnN多层结构的磁学性质。两种结构的样品在室温下均显示铁磁性。更重要的是,同相同制备条件下的GaMnN单层结构的样品相比,虽然GaN/GMnN多层结构的饱和磁化强度略低,但是多层结构在经过高温热处理后具有很好的磁学......
[会议论文] 作者：方浩,桑立雯,齐胜利,张延召,杨学林,杨志坚,郝茂盛,潘尧波,张国义,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发光谱和光致荧光表征结果进行研究。InGaN插入层的应力调制作用和LED的多波长光学性质之......
[会议论文] 作者：方浩[1]桑立雯[1]齐胜利[1]张延召[1]杨学林[1]杨志坚[1]郝茂盛[2]潘尧波[3]张国义[1],
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对LED器件在室温下形状随注入电流变化的电致发...
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