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[会议论文] 作者：倪世兵,张继成,杨学林,
来源：2015中国硅酸盐学会固态离子学分会理事会议暨第三届全国固态离子学青年学术交流会 年份：2015
钒酸锂(Li3VO4)是一种新型嵌入、脱出式负极材料.前期研究表明,1个Li3VO4分子可以容纳2个锂离子的可逆嵌入、脱出,对应理论容量394 mAh g-1.Li3VO4相比于石墨而言,具有更安全...
[会议论文] 作者：倪世兵,杨学林,张继成,
来源：2015中国硅酸盐学会固态离子学分会理事会议暨第三届全国固态离子学青年学术交流会 年份：2015
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[会议论文] 作者：郑安华,杨学林,吴璇,
来源：2015中国硅酸盐学会固态离子学分会理事会议暨第三届全国固态离子学青年学术交流会 年份：2015
石墨因其低廉的价格、低的电压平台和良好的循环稳定性等优点,已经作为商业化负极材料在锂离子电池中得到了广泛的应用.然而其倍率性能不理想,且其理论容量较低(372 mAh g-1).随着科技的发展和人类的进步,石墨这类传统的负极材料越来越难以满足日益增长的需求.......
[会议论文] 作者：纪攀峰;杨学林;徐福军;沈波;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
长期困扰GaN基LED发光效率提升的一个关键因素是Mg在GaN材料体系中的激活能高达170mev,造成p-GaN材料的空穴浓度较低.根据第一性原理模拟计算,与GaN有相同带隙的Al InGaN四元...
[会议论文] 作者：齐金良,周兆弟,周平槐,杨学林,
来源：第六届中国国际桩与深基础峰会 年份：2015
本文分析、总结了管桩在沿海软土地基工程应用中出现的主要问题，介绍了机械连接竹节桩的特点，并通过工程实例，对机械连接竹节桩在软土地基中用作抗压工程桩和抗拔工程桩时，其......
[会议论文] 作者：冯玉霞,杨少延,魏鸿源,杨学林,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ族氮化物为稳定结构,在通常生长条件下为主...
[会议论文] 作者：冯玉霞,魏鸿源,杨少延,杨学林,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ族氮化物为稳定结构,在通常生长条件下为主要晶相.在生长Si(111)衬底AlN的过程中,出现了立方相AlN,通过研究材料生长工艺对薄膜中......
[会议论文] 作者：程建朋,杨学林,桑玲,许福军,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
硅衬底上AlGaN/GaN异质结构因其优良的物理性能在功率电子器件领域有着广阔的应用前景.然而,由于硅衬底与外延层之间存在较大的晶格失配和热失配,GaN中位错密度较高,而且表面容易龟裂.虽然许多方法诸如低温AlN插入层、超晶格等被用来解决上述问题,GaN的晶体质量......
[会议论文] 作者：杨学林,桑玲,程建朋,张洁,郭磊,许福军,王新强,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
InAlN/GaN heterstructures have attracted general attention due to their high spontaneous polarization and the possibility to improve the device reliability [1].Until now,although the InAN/GaN HEMTs wi...
[会议论文] 作者：胡安琪,杨学林,程建朋,许福军,唐宁,王新强,葛惟昆,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
硅上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高压功率器件中具有重要的应用前景.然而,由于器件高压过程中载流子的俘获效应,GaN基器件的可靠性仍存在问题.关态工作条件下,HEMT器件的栅漏之间存在较大的电压,从栅极注入的电子容易被表面、AlGaN势垒层、甚至GaN缓冲......
[会议论文] 作者：郭磊,杨学林,程建朋,唐宁,王新强,吕元杰,冯志红,葛惟昆,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
硅衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)在高压功率开关等器件有着广泛的应用前景.由于功率开关器件工作状态是在高压下,因此在高电场下的电子输运性质对器件的性能至关重要.然而,实际测量GaN基材料中电子的饱和漂移速度比理论计算值低很多,其中一个......
[会议论文] 作者：王新强,郑显通,王平,陈兆营,盛博文,许福军,杨学林,沈波,T.Schulz,M.Albrecht,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
InGaN化合物半导体的禁带宽度从3.39eV至0.64eV可调,其波长覆盖了深紫外至近红外波段,这使其在发射波长高度可调的光电器件方面具有很大的应用价值.然而,热力学相的不稳定性导致相分离的出现,并引发大量结构缺陷,使得高晶体质量的InGaN薄膜很难实现,尤其是中间I......
[会议论文] 作者：胡安琪[1]杨学林[1]程建朋[1]许福军[1]唐宁[1]王新强[1]葛惟昆[2]沈波[1],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
硅上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高压功率器件中具有重要的应用前景.然而,由于器件高压过程中载流子的俘获效应,GaN基器件的可靠性仍存在问题.关态工作条件下,HEMT...
[会议论文] 作者：桑玲,杨学林,程建朋,贾利芳,何志,郭磊,胡安琪,许福军,唐宁,王新强,葛惟昆,沈波,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：郭磊[1]杨学林[1]程建朋[1]唐宁[1]王新强[1]吕元杰[2]冯志红[2]葛惟昆[3]沈波[1],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
硅衬底上AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)在高压功率开关等器件有着广泛的应用前景.由于功率开关器件工作状态是在高压下,因此在高电场下的电子输运性质对器件的性...
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