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[会议论文] 作者：王立,江风益,莫春兰,熊传兵,汤英文,刘军林,方文卿,王小兰,刘卫华,周印华,
来源：第十二届全国LED产业研讨与学术会议(2010’LED) 年份：2010
通过衬底图形化技术，在Si(111)衬底上生长了厚度大于4μm无裂纹的GaN薄膜。采用特殊的AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多层缓冲技术，GaN/Si薄膜的位错密度可以低于5×108/cm2。通过衬底转移成功制备了具有垂直薄膜结构的大功率LED芯片。经测试，Si衬底上制备的1mm×1mm大功......
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