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[会议论文] 作者：张景贤[1],段于森[1],江东亮[1],陈忠明[1],刘学建[1],黄政仁[1],扬建[2],李晓云[2],丘泰[2],
来源：第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会 年份：2017
以Si粉体作为起始原料,以Zr02-Y203-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅尚瓷的低温烧结致密化和...
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