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[会议论文] 作者：潘栋,曾一平,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
首次报道了低组分（Ｉｎ￣０．３）的２０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格的生长，用透射电镜（ＴＥＭ）直接观察到清晰的无位错的量子点超晶格的结构，量子点的平均尺寸大小：直径３０ｎｍ和高度６－７ｎｍ。......
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