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[会议论文] 作者:潘栋,曾一平,
来源:第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份:1996
首次报道了低组分(In ̄0.3)的20周期的InGaAs/GaAs量子点超晶格的生长,用透射电镜(TEM)直接观察到清晰的无位错的量子点超晶格的结构,量子点的平均尺寸大小:直径30nm和高度6-7nm。......
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