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[会议论文] 作者：金海岩,高玉芝,冯国进,王铁松,马连荣,张维,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文给出了Ｅ－Ｂ之间复合介质层Ｌ型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性。......
[会议论文] 作者：张国炳,郝一龙,孙玉秀,陈文茹,王铁松,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：张国炳,郝一龙,孙玉秀,陈文茹,肖志雄,王铁松,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
该文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂黉度关系的实验结果。ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退炎（ＲＴＡ）可以使其压应力检......
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