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[会议论文] 作者：马通达,屠海令,邵贝羚,刘安生,胡广勇,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒......
[会议论文] 作者：马通达[1]屠海令[2]邵贝羚[3]刘安生[3]胡广勇[3],
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及...
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