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[会议论文] 作者：董四华,杨光晖,刘英坤,张鸿亮,邓建国,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
目前,国内采用等平面自对准等先进工艺技术研制而成的、国产化S波段Si功率晶体管性能已达到实用化应用要求。基于先进的负载牵引测试技术,对小型化S波段功率放大器模块匹配电路进行了优化设计,研制出了体积为150 mm×40 mm×20 mm的S波段功率放大模块。在2100-2......
[会议论文] 作者：段雪;董四华;刘英坤;田秀伟;邓建国;孙艳玲;冯彬;,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究，从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电...
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