搜索筛选:
搜索耗时0.7161秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 2 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：郁鑫鑫,倪金玉,李忠辉,周建军,孔岑,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质......
[会议论文] 作者：倪金玉,郁鑫鑫,潘磊,董逊,孔岑,周建军,李忠辉,孔月婵,陈堂胜,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于GaN基Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高和耐高温能力强等优良特性,GaN场效应晶体管(如HEMT)比Si功率MOS场效应晶体管击穿电压更高、开关速度更快、开关损耗更小、工作温度更高,非常适合于功率电子器件应用.......
相关搜索：
