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[会议论文] 作者：钟国柱;,
来源：全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 年份：1985
从1974年日本夏浦公司推出新型结构的交流电致发光薄膜以来，发展迅速，现夏浦已能生产240×320和512×128的学符、图象显示器及电视屏，已用于美国航天飞机。芬兰用原子层外延法。...
[会议论文] 作者：钟国柱,
来源：1987年中国金属学会冶金渣综合利用第二次年会 年份：1987
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[会议论文] 作者：钟国柱,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
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[会议论文] 作者：钟国柱,
来源：中国金属学会第三届冶金环保学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：宋航,钟国柱,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
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[会议论文] 作者：孟立建,钟国柱,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
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[会议论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：孙甲明,钟国柱,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：钟国柱,尚士荣,
来源：中国金属学会冶金环保学术年会 年份：2000
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[会议论文] 作者：许绪谋,虞家琪,钟国柱,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
用激光选择激发技术在ZnS：Er[*+*]薄膜中鉴别出四种发光中心，比较了他们在EL中碰撞截面和PL中吸收截面的大小。不同中心由于跃迁几率不同，碰撞截面也不同。通过比较ZnS，ErF[*v3*]...
[会议论文] 作者：张吉英,张振中,单崇新,钟国柱,刘益春,申德振,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
在低压MOCVD条件下,采用等离子体协助方法进行ZnS和ZnS;Mn外延层生长.在普通玻璃衬底上,150℃生长的ZnS外延层由X光衍射谱表明有较强的(111)衍射峰,随生长温度提高至350℃,位于(111)的ZnS衍射峰值半高宽(△2θ)变窄(0.21°),表明获得较高的ZnS外延层质量.由于采......
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