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[报纸论文] 作者：徐立, 张国炳, 陈文茹, 武国英, 王阳元, 龚里,,
来源：半导体学报 年份：1992
向CoSi2膜中分别注入As+和BF2+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N+-P和 P+-N浅结.本...
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