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[报纸论文] 作者：景俊海, 孙青,,
来源：材料科学进展 年份：1991
本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30...
[报纸论文] 作者：许丰, 唐青林,
来源：中国教育报 年份：2000
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[报纸论文] 作者：孙建诚, 孙青, 景俊海, 傅俊兴, 王玉清,,
来源：西北电讯工程学院学报 年份：1988
本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果...
[报纸论文] 作者：安家瑶, 王孝涛, 胡继高, 刘国典, 何升韬, 汪东林, 傅熹,
来源：人民政协报 年份：2001
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