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[报纸论文] 作者：孙建诚, 孙青, 景俊海, 傅俊兴, 王玉清,,
来源：西北电讯工程学院学报 年份：1988
本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果...
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