设计研制了大气开放式金属有机化合物气相沉积（AP—MOCVD）装置，该装置操作简便，制备条件易控制，可制备不同碳掺杂氧化钛和纯氧化钛薄膜......

研究低温生长ＧａＮ过渡层（缓冲层）在ＡＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ材料过程的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对ＧａＮ材料晶体质量的影响，通过对过渡层......