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SiC(0001)面和(000—1)面CM抛光对比研究
研究了SiC衬底(0001)面和(000.1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10-38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进......
期刊
碳化硅
(0001)Si面
(000
1)C面
化学机械抛光(CMP)
材料去除速率
粗糙度
Silicon Carbide
(0001)Si face: (
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