利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均......

本文主要叙述了在ISE软件平台上对不同Al组分AlGaN/GaNHEMT的转移特性的模拟以及对模拟结果的分析.首先实现了在成熟的模拟软件中,......

日本富士通公司采用MOCVD方法在Inp衬底上生长晶格匹配In 0.52 A1 0.48 As/In 0.53 Ga 0.47 As HEMT。这种HEMT的50mm T型Ti/Pe/Au......

建立了含有δ掺杂层的SiGepMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型 ,并对该模型进行了数值分析 .讨论了静态时器件......

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作......