研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系，大低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构。随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，说地宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移，同时强度减小两个数数量级......

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究。在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的......