对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa 1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了PLE及极化PL谱的测量.进一步探讨有序结构AlGaInP中在55～84 K出现......

对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了变温和变激发功率密度的PL谱研究,发现了PL谱峰值位置不随激发功率......

对与ＧａＡｓ晶格匹配的四元合金（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）作了变曙和变激发功率密度的ＰＬ谱研究，发现了ＰＬ谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动，但是出现了随温度变化的......

Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器......