Ⅲ-V族相关论文
量子阱红外光电探测器（QWIP）技术已取得了显著的成就，因为它在宽波段和多波段两方面都实现了大规格的焦平面列阵。这些探测器基于Ⅲ-V......
据美国物理学家组织网报道，美国普渡合物砷化镓铟代替硅，研制出全球首款全门大学和哈佛大学的科学家使用Ⅲ-V族化三维晶体管，可用于开......
<正> 在研究材料的表面性质时,总希望获得一个理想的完整表面,以排除各种外来干扰和影响。实际上,半导体材料表面往往有各种缺陷,......
介绍了一种较为精确的Ⅲ-V族HBT小信号模型的直接提取方法。该方法中的HBT小信号等效电路拓扑结构采用混合PI型结构，并通过在不同偏......
本文分析了在生长Ⅲ－Ｖ族半导体时ＭＯＣＶＤ系统中反应气体的输运过程，认为进入反应室的Ⅲ族元素在机金属反庆气体的数量与ＭＯＣＶＤ管道系统的结构以及反......
目前,已开发出不自燃的铝、镓、铟金属有机化合物,并已安全用于金属有机汽相外延工艺(MOVPE),用以制备Ⅲ—Ⅴ族半导体材料。这些化......
