三族氮化物相关论文
有关结果表明,在氨分子束外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体......
本文介绍MOCVD技术在紫外探测器领域的应用。综述MOCVD技术对阳盲紫外探测器材料生长工艺的改进,着重介绍三族氮化物三元、四元系......
从以GaAs等三五族材料为代表的第二代半导体过渡到以三族氮化物为代表的第三代半导体，材料的晶格结构发生了很大的变化。结构决定物......
本文利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场和量子点的三维约束效应，研究了约束在GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子态。详细讨论了激......
有关结果表明,在氨分子柬外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体......
有关结果表明,在氨分子柬外延STE3N2系统中,以极高的温度(1 100-1 150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET(双异质结构场效应晶体......
有关结果表明，在氨分子柬外延STE3N2系统中，以极高的温度（1100—1150℃）让氮化铝缓冲层进行增长是为DHFET（双异质结构场效应晶体管）通道......
由于纤锌矿结构的三族氮化物具有较强的离子性且缺乏反演对称性,它们表现出很强的自发极化和压电极化,是一种极化特性和半导体特性......
(Al)GaN基材料为直接宽带隙半导体,带隙在3.4eV(GaN)到6.2eV(AlN)的范围内连续可调,具有良好的化学和热稳定性,是制备高效紫外LED......
