三氧硅烷相关论文
在常压下,SiHCl3/H2体系在Si衬底表面上进行的气相外延生长是目前生长单晶硅最广泛、最重要的方法。本论文将量子化学与分子反应动力......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......