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三硒化四铟相关论文
含Se空缺In4Se3基热电材料的掺杂改性研究
In4Se3基材料具有准二维层状晶体结构,该类材料本征晶格热导率低,是一类表现出潜在热电应用前景的中温区(500-900 K)n型热电材料。然......
学位
热电材料
三硒化四铟
硒空缺
掺杂改性
热电性能
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