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无结纳米线器件在其源/漏端以及沟道为均匀掺杂,制造流程简单,具有近乎理想的亚阈值摆幅以及极小的泄漏电流,是纳米尺度条件下传统......
结合漏电流的解析模型和适用CAD工具准解析模型，提出了一种新型4H-SiCMESFET自热效应物理模型。模型包括4H-SiC低场电子迁移率......
本文在建立4H-SiC MESFETs的模型的基础上运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MSFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分......
在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此......
在考虑杂质不完全离化的作用下，建立了6H—SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型。并通过模型，仿真分析了器件电流随温度的变化情......
ZnO为直接带隙的宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV;特别的,其激子束缚能高达60 meV。因此,ZnO在室温或更高温度下的紫外发光......
目前SiC作为一种在抗辐照领域有着巨大应用前景的极端电子学材料而倍受人们关注。为了能充分发挥SiC抗辐照的优势和潜力，本文首先对......
