该论文以不挥发非破坏性读出铁电存储器MFIS为主要研究对象,具有较高的理论意义和实际意义.目前,铁电存储器研究的主要问题集中在......

将 Zr O2 和 PZT的 sol- gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中 ,制作出应用 Al/ PZT/ Zr O2 / p- Si结构的 MFIS电容和......