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两次沟道注入相关论文
两次沟道注入对SOI PMOS器件特性的改进研究
SOI PMOS的背栅为零伏时,相对于源来说是负电压,容易造成漏电.通过优化两次沟道注入的剂量和能量,制备的SOI PMOS器件背沟道阈值电......
会议
两次沟道注入
器件特性
阈值电压
实际应用
漏电
负电压
优化
能量
剂量
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