中频反应磁控溅射相关论文
采用中频反应磁控溅射方法和线性阳极层离子源实现了TiO2薄膜在线制备和在线离子束后处理。通过对薄膜光学性质的研究,发现氧离子......
应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为......
采用离子束辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及YG6硬质合金基体上沉积AlN薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微......
利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜......
采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合金基体上沉积AlN薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、......
使用TiAl合金靶,利用中频反应磁控溅射系统,通过交替改变氮气流量的方法,在高速钢(W18Cr4V)基体上沉积了氮含量周期性改变的AlTiN多......
使用独特的镶拼矩形TiAl靶,用中频反应磁控溅射方法,采用周期性改变靶电流的方法在高速钢(W18Cr4V)基体上沉积了(Ti,Al)N多层薄膜。利用......
采用中频反应磁控溅射方法,在不同溅射沉积功率下,在单晶Si基片上沉积了a-C∶H薄膜.研究了不同沉积功率对a-C∶H薄膜的形貌、硬度......
应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90mi......
作者利用中频反应磁控溅射技术制备了厚度低于400 nm的TiO2薄膜,并对其在紫外线作用下对敌敌畏(DDVP)的光催化降解性能进行了系统......
氮化铝(AIN)是一种性能优良的宽能隙直接带隙结构Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合......
采用中频磁控溅射离子镀技术制备了Al2O3薄膜,采用反应溅射控制器测定了不同氩分压与靶功率下的靶电压迟滞回线,采用X-射线衍射仪......
采用中频反应磁控溅射技术,在石英基片上制备了氧化铝薄膜。研究了氧化铝薄膜的XRD谱和Al2p核心能级的XPS谱随不同制备氧分压比的......
采用中频反应磁控溅射技术,在石英基片上制备了氧化铝薄膜。研究了氧化铝薄膜的XRD谱和Al 2p核心能级的XPS谱随不同制备氧分压比的......