二氧化锑相关论文
本文对沸石负载二氧化锑光催化降解效能进行深度分析,在论述实验所需仪器、所需试剂和具体实验方法的基础上,探讨了烘焙温度对沸石二......
基于半导体多相光催化氧化技术在环境污染治理方面的突出优点,人们对它的研究日益深入,然而以TiO为代表的半导体材料多数属于宽禁带......
应用交流阻抗方法研究锑在0.05mol.dm^-3H2SO4+0.5mol.dm^-3NaSO4溶液(30℃)中以0.9V(vs.Hg/Hg2SO4/0.05mol.dm^-3H2SO4)生长3h的阳极Sb2O3膜的半导体性质。从Mott-Schottdy曲线可知,此膜为n型半导体,平带电位为-0.34V(vs.Hg2SO4/0.05mol.dm^-3H2SO4),施主密度为4.0×10^19cm......